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先端電子デバイス先端電子デバイス |
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| 课程网址: | http://www.ocw.titech.ac.jp/index.php?module=General&Nendo=2014&a... |
| 主讲教师: | 信息不详。欢迎您在右侧留言补充。 |
| 开课单位: | 东京工业大学 |
| 开课时间: | 信息不详。欢迎您在右侧留言补充。 |
| 课程语种: | 日语 |
| 中文简介: | 将讨论硅微器件和替代技术的局限性：量子纳米器件。 主要议题包括;高速器件的方法，确定IC速度的参数，异质结器件，MOSFET的缩放极限，互连，量子效应的标准，量子纳米结构的制造技术，单电子晶体管，超导数字器件，量子计算机。 |
| 课程简介: | Limitation of silicon microdevices and alternative technology: Quantum nano-devices, will be discussed. Major topics include; Approaches for high-speed devices, Parameters which determine the speed of ICs, Heterojunction devices, Scaling limit of MOSFETs, Interconnections, Criteria for quantum effects, Fabrication technology of quantum nano-structures, Single electron transistors, Superconducting digital devices, Quantum computer. |
| 关 键 词: | 信息不详。欢迎您在右侧留言补充。 |
| 课程来源: | 信息不详。欢迎您在右侧留言补充。 |
| 阅读次数: | 56 |